一、高密度封装进展之四——印制线路板制造技术的发展趋势（论文文献综述）
文明立,赵超,杨义华,陈伟,彭小英,刘光明[1]（2020）在《工艺条件对线路板化学镀钯的影响》文中研究表明线路板镍层上传统化学镀金过程中存在镍层腐蚀问题,本文针对本公司开发的线路板化学镀镍钯金工艺的化学镀钯配方,研究了化学镀钯温度和pH对沉积速率、钯层形貌和镀金后镍腐蚀的影响。结果表明,在45℃～60℃区间化学镀钯沉积速度随温度呈近线性增加;在pH为6.0～8.0之间镀钯沉积速率随pH值增加也缓慢增加。在50℃,pH=7.2时化学镀钯沉积速率稳定,镀层结晶细致,能够有效减少镀金时产生的镍腐蚀,得到的镍钯金镀层平均断裂拉力为2.0 g,断裂模式均为模式A-3焊点肩部断裂,具有良好的金线邦定性能。
钟智彦[2]（2019）在《面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究》文中研究说明高密度柔性集成电路封装基板（FICS）广泛应用于具有小型化、轻量化、可移动等特性的电子产品中。由于FICS的制作过程十分复杂,所以其任何一道工艺出现不良产品都会对后续生产造成极大的损失。这种高密度柔性IC封装基板的线宽/线距细至10um以下制程,所以必须借助显微镜才能完成采集,此时相比于不需借助显微镜的传统缺陷检测方法其检测难度更大。随着芯片制造工艺的发展,其线宽/线距将进一步降低,进一步增加了基板检测的难度。当使用显微成像采集FICS图像时,基板的纹理结构和缺陷同时被放大,此时的纹理结构与某些缺陷比较类似,例如氧化缺陷等。由于现有方法很容易把基板的纹理结构误判为缺陷,所以迫切需要开发新的缺陷检测方法以满足自动化工业生产。基于上述需求,针对显微成像FICS缺陷图像自动检测的关键技术难题展开了科学研究。本研究的主要研究内容和创新点包括以下四个方面:（1）针对显微成像基板图存在多种未知工业噪声的问题,提出了基于拓扑映射的加权邻域闭合曲线均值模板。实验结果表明,该模板不仅优于现有滤波器,而且有效去除了显微成像基板图像的噪声。（2）针对低倍显微成像氧化缺陷基板图像检测中传统视觉检测方法极易把黑色背景误判为缺陷且严重依赖标准模板的不足,提出了基于拓扑映射的氧化缺陷检测算法。将该方法应用于噪声图像、增强图像和缺陷图像的检测实验,证实其对FICS的背景纹理和光照不敏感,抗干扰能力强,并且鲁棒性好。（3）针对高倍显微成像的氧化缺陷基板图像中传统视觉检测方法极易把黑色背景和基板纹理结构误判为缺陷并且严重依赖标准模板的不足,提出了基于微分几何工具的氧化缺陷检测算法。该方法通过建立样本拟合模型和缺陷检测模型,实现了氧化缺陷的检测,具有快速、实时的特点。相同环境下,只需对拟合样本进行单次建模,即可实现基板缺陷的快速检测,既减少了检测时间,又能更好地满足工业检测的实时性要求。（4）针对显微成像油墨异物基板图像中,图像对比度低并且传统的视觉检测方法极易把黑色背景和贴膜背景误判为缺陷的不足,提出了一种基于微分几何工具的缺陷检测算法。该算法先建立基于曲率的样本拟合模型,再提出基于图像灰度值分析的分段线性函数以提高图像的对比度,最后建立基于概率的缺陷检测模型。相同环境下,可以将样本拟合模型和分段线性函数的相关参数直接应用于后续的待测图像中,提高了缺陷检测的整体效率。实际应用表明,该算法不仅精度高,而且满足柔性基板快速生产的工业实时性要求。本研究获得的成果,不仅实现了上述四种算法的工程应用设计而且验证了其效果。大量实验数据表明,论文所提出的高速、高精度的缺陷检测方法,很好地满足了柔性IC基板快速生产的工业实时性要求。
师剑英[3]（2018）在《浅析封装基板的设计开发》文中研究表明简述了封装基板在IT时代的突出地位;须厘清或了解的相关知识;电子封装需解决的技术课题;封装基板需解决的技术课题及基板类型;有机封装基板的发展、封装用有机基板、有机封装基板的特点、主要性能要求及分类;介绍了封装基板的设计原则,从原辅材料的选择、配方设计、工艺设计等方面浅析封装基板的开发;并推荐了DCPD酚环氧及DCPD酚活性脂在封装、高频/高速、高性能、高可靠性基板中的应用。
鞠隆龙[4]（2018）在《高密度封装中微小铜柱凸点界面IMC生长及控制研究》文中指出随着现代电子产品向着轻小型化的快速发展,电子行业对于芯片封装集成度的要求越来越高,采用凸点键合的倒装芯片和三维叠层封装的高密度封装形式已经成为业界主流。铜柱凸点作为一种新型的互连结构,兼具优异的导电和导热性能,适用于超细间距互连。然而,在封装尺寸不断减小的趋势下,加载在单个铜柱凸点上的热、电以及机械载荷不断加剧,研究铜柱凸点界面金属间化合物（IMC）的生长规律,并研究如何有效抑制互连界面金属间化合物的生长,提高其在三维封装互连结构中的可靠性,成为目前业界关注的热点。本文利用15μm与25μm两种直径的Cu/Sn结构铜柱凸点,研究其在不同条件时效处理之后,界面处金属间化合物的生长规律,并利用氧化还原的石墨烯薄膜,对键合后金属间化合物的快速生长进行控制。具体内容和结论有:（1）通过加热时效的方法来研究15μm和25μm铜柱凸点稳定性和可靠性,分析得出其界面IMC的生长规律和机理的异同。相同点包括:两种尺寸的微小铜柱凸点界面IMC都会产生Cu6Sn5和Cu3Sn两种金属间化合物,其中Cu6Sn5先生成,Cu3Sn后生成;IMC层的整体厚度会随着时效时间的增长而逐渐变厚;IMC的生长速度会随着时效温度的上升而加快;Kirkendall孔洞会伴随着Cu3Sn的生成而生成;当扩散进行到一定程度后,IMC会沿着铜柱的外边缘向下生长等。不同点包括:15μm凸点与25μm凸点相比,Cu3Sn和Kirkendall孔洞生成更困难,铜柱外边缘生长IMC的现象出现和凸点被彻底破坏的时间更晚,界面IMC扩散速率更低,生成的Kirkendall孔洞尺寸也更小。（2）凸点界面IMC逐渐增多的过程,并不是简单的某种IMC增多或两种IMC一起增多的过程,而是两种IMC以及Cu和Sn相互作用的复杂结果。在一定条件下,Cu3Sn的生成会大量消耗之前生成的Cu6Sn5,让Cu6Sn5的增长速度减缓、总量趋于稳定甚至减少。（3）在循环电流下使用还原氧化的石墨烯悬浊液的方法,可以在铜微纳米针锥表面获取相对均匀的石墨烯薄层。选取相应样品可以在键合温度120℃、键合时间10 min、键合压力14.63 MPa的条件下与25μm铜柱凸点形成高稳定性的键合。在此条件下,金属原子既可以在键合处理过程中发生扩散从而形成有效键合,又因为石墨烯阻挡层的存在而在时效处理过程中的停止扩散,使得键合界面IMC的快速增长被成功抑制。
王昊,郝建军,安成强,林雪[5]（2013）在《电镀技术在电子产品中的应用》文中认为电镀作为一种加工工艺技术,在机械、轻工及电子等诸多工业领域都有广泛的应用。电镀除赋予产品装饰和防护功能外,各种功能镀层在电子工业中的作用显得特别重要。主要是在电感、电容、电阻元件、半导体元件、印制线路板及集成电路等方面。
丁雨[6]（2012）在《印制线路板化学镀铜活化剂—胶体钯的研制》文中认为由于计算机和通讯等高科技产业的迅猛发展，为印刷电路板（PCB）化学镀铜的发展提供了广阔的空间。胶体钯活化液是化学镀铜行业，尤其是PCB孔金属化中应用最广泛的催化剂。本文通过测定引发周期即诱导时间、完全镀覆时间、混合电位-时间法及镀铜效果测定胶体钯的活性；通过测定放置180天后的超声波作用下的活化液镀铜效果，分析稳定性。通过研究制备方法及各种制备条件对盐基胶体钯活性和稳定性的影响，制得性能优异的胶体钯活化液，进而优化盐基胶体钯的制备条件。获得如下结果：1.随着氯化钯浓度的增大，胶体钯活化液的活性增大，实验选定氯化钯浓度为2.5g/L；随着反应时间增加，盐基胶体钯活化液的活性先增大后减小，实验确定反应时间为8min；随着反应温度的升高，盐基胶体钯活化液活性先增大而后减小，实验确定反应温度为2035℃；随着熟化温度的升高，盐基胶体钯活化液活性随之增大，但是熟化温度为6080℃时，胶体钯活化液的活性未明显提高，故实验选定熟化温度为55℃。锡酸钠浓度、Sn/Pd（物质的量之比）、氯化钠浓度对盐基胶体钯活化液活性影响较小，但对胶体钯活化液稳定性影响较大。随着锡酸钠浓度的增大，胶体钯活化液的稳定时间增大，当浓度增加到5.0g/L以后，胶体钯活化液稳定时间基本不变，故确定锡酸钠浓度为5.0g/L；随着Sn/Pd的不断增大，胶体钯活化液的稳定性增大，当Sn/Pd=50时，可以满足工业生产要求；随着氯化钠浓度的不断增大，胶体钯活化液的稳定性先随之而增大，后随之减小，最终确定氯化钠的浓度为175g/L。甲醇对胶体钯活化液的活性及稳定性产生不利影响。2.盐基胶体钯制备较优条件为：PdCl2为2.5g/L、Sn/Pd为50:1、NaCl为175g/L、锡酸钠浓度为5g/L，反应时间为8min、反应温度为2535℃、熟化温度为55℃左右。3.用超声波作用的同时制得的胶体钯活化液活性与稳定性优于没有超声波作用的活化液。超声波作用时间为020min时，随着超声时间的增加，配制的胶体钯活化液的诱导时间短，活性增加，镀铜效果好，随后超声的效果趋缓。超声波作用后的盐基胶体钯活化液在180天后仍然保持良好的活性，稳定性好。
陈露[7]（2012）在《纳米银焊膏互连芯片DBC基板的镀银工艺研究》文中认为电子封装中的基板可为半导体器件提供点连接和绝缘、机械支撑、热扩散,因此,基板与功率半导体器件的互连技术非常重要。功率器件连结的典型工艺是通过焊料或导电胶,将半导体芯片的一个终端与基板连接起来,另一个终端用精细的铝线或金线连接。新型无铅焊料纳米银焊膏可在低温烧结,实现大功率、高温电子器件的连接和封装工艺。连接所用的DBC基板在纳米银焊膏连结半导体器件时的钎焊性较差,且高温易氧化,因此在铜表面镀银以改善其性能。传统的镀银液几乎都含有氰化物,虽然使用氰化物镀液可以获得外观、附着性好且结晶细致的镀银层,然而氰化物有剧毒,严重地威胁了生态环境。本文采用无氰镀银技术在DBC基板表面进行镀银工艺的研究。首先,采用亚硫酸盐电镀银配方进行了电镀银工艺的研究,分析了电镀银层的性能;其次,采用硫代硫酸盐配方进行了电镀银工艺的研究,分析了电镀银层的性能;最后,对磁控溅射银工艺进行了研究,分析了镀银层的性能。通过对镀银工艺的分析得出,采用亚硫酸盐电镀银工艺可以得到与DBC基板结合力很好的电镀银层,但其抗高温变色性能较差;采用硫代硫酸盐电镀银工艺所得的电镀银层的结合力较差,但电镀银层比较致密;在镀镍层的基础上采用磁控溅射银工艺,得到的镀银层与DBC基板的结合力好,且抗高温变色能力强,从而保证使用纳米银焊膏连接半导体器件和DBC基板的连接强度。
郁祖湛[8]（2011）在《电子电镀与表面处理技术的研发动态》文中研究表明宏电子产业的发展带动了电镀与表面处理技术的变革。阐述了以碳纳米管浆料喷墨打印制作印制线路和用激光直接成型工艺制作模塑互连器件的实用技术。介绍了印制板化学镀锡、真空镀与电镀、有机涂层相结合技术、环保型电镀新技术、一种新型的无氰根的金盐、高效复合电镀废水处理技术、电沉积纳米超疏水镍薄膜材料、离子液体中电沉积和硅烷复合稀土转化膜技术等,并对电镀工业发展前景进行了展望。
张瑾[9]（2010）在《离心清洗设备控制系统设计》文中研究表明印制线路板是航空航天、军事电子装备以及电子通讯设备、电子计算机、电子仪表、自动化控制装置和医疗设备等电子产品中的核心部件,其质量直接影响到电子整机产品的性能和可靠性。电子线路板的清洗是电子装联中的重要工序,借助于清洗机对电子线路板的清洗可以消除使用过程中可能出现的隐患,延长其使用寿命,提高可靠性。传统清洗机采用超声和喷淋作为主要清洗方式,但超声会对印制线路板造成一定程度的影响,对元器件造成损伤,而喷淋清洗对BGA等高级形式的封装,清洗效果不好。离心清洗通过浸泡、清洗、漂洗、烘干四步工艺过程,清洗、漂洗过程中综合离心力、喷淋的作用,达到彻底清洗的效果。离心清洗设备使用水清洗剂清洗,节约成本,对电路板本身影响小,对环境的污染极小。本文主要对离心清洗工艺及设备进行分析,将进行以下内容的研究：对印制线路板组件国内外清洗行业现状进行了较为详尽的调查,通过对助焊剂、污染物、清洗溶剂及清洗工艺的分析,表明了离心清洗技术的优点；制定印制线路板离心清洗工艺流程,依此设计开发了离心清洗机；根据清洗机的控制要求,设计了PLC控制系统,编写PLC控制程序；设计工艺试验样件,优选清洗溶剂,使用离子污染测试仪测试清洗效果。试验结果表明,采用离心清洗工艺设备对高密度、低引脚高度的印制线路板进行清洗,清洗后离子污染物含量小于1.56μgNacl/cm2,符合J-STD-001B及MIL-STD-2000A标准要求。
田民波[10]（2010）在《充满创新活力的电子电路技术展——日本2010年电子电路与电子封装展览会观感》文中指出文章概述了,作者在日本东京参加了"第40届国际电子回路产业展"、"大电子学展2010"、"第24届先进电子封装技术与封装展"和"第12届JISSO技术展"后的心得与体会。
二、高密度封装进展之四——印制线路板制造技术的发展趋势（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、高密度封装进展之四——印制线路板制造技术的发展趋势（论文提纲范文）
（1）工艺条件对线路板化学镀钯的影响（论文提纲范文）
| 1 实验部分 |
| 1.1 工艺流程 |
| 1.1.1 实验材料 |
| 1.1.2 工艺流程 |
| 1.2 性能测试 |
| 1.2.1 沉积速率 |
| 1.2.2 微观形貌 |
| 1.2.3 邦定测试 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 温度的影响 |
| 2.2 p H的影响 |
| 2.3 最佳工艺条件下镀层性能 |
| 3 结论 |
（2）面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 FICS的产业现状及特点 |
| 1.1.2 FICS制造过程常见缺陷 |
| 1.1.3 FICS基板图像特点 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 视觉检测技术 |
| 1.2.2 基板图像的缺陷检测技术 |
| 1.3 显微成像基板图的关键技术难点分析 |
| 1.4 主要研究内容及结构 |
| 1.4.1 主要研究内容 |
| 1.4.2 本文结构 |
| 第二章 显微成像的FICS图像预处理算法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 基于拓扑映射的显微成像基板图降噪算法 |
| 2.2.1 算法设计 |
| 2.2.2 实验结果及比较 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 氧化缺陷图像的类型及相应算法 |
| 3.2.1 低倍显微成像的氧化缺陷图像 |
| 3.2.2 高倍显微成像的氧化缺陷图像 |
| 3.2.3 不同环境的氧化缺陷检测算法 |
| 3.3 基于低倍显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.3.1 算法设计 |
| 3.3.2 实验结果及比较 |
| 3.4 基于高倍显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.4.1 算法设计 |
| 3.4.2 实验结果及比较 |
| 3.5 显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法对比 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 显微成像的FICS图像油墨异物缺陷检测算法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于微分几何工具的油墨异物缺陷检测算法 |
| 4.2.1 算法设计 |
| 4.2.2 实验结果及比较 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 工程应用设计与验证 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 检测仪的主要功能 |
| 5.3 检测仪的软硬件组成 |
| 5.3.1 硬件组成 |
| 5.3.2 软件组成 |
| 5.4 FICS图像算法的工程设计与验证 |
| 5.4.1 显微成像基板图的降噪算法的工程设计与验证 |
| 5.4.2 低倍显微成像基板图的氧化缺陷检测算法工程设计与验证 |
| 5.4.3 高倍显微成像基板图的氧化缺陷检测算法工程设计与验证 |
| 5.4.4 显微成像基板图的油墨异物检测算法的工程设计与验证 |
| 5.5 在线检测实例 |
| 5.6 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 1.结论 |
| 2.创新点 |
| 3.展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（3）浅析封装基板的设计开发（论文提纲范文）
| 一、引言 |
| 二、须了解的知识 |
| 1、电子封装的基本概念 |
| 2、PCB与封装基板 |
| 三、电子封装需解决的技术课题 |
| 1、高速传输技术即信号的高速传输。 |
| 2、高效冷却技术 (散热、导热) |
| 3、高密度化技术 |
| 4、防止电磁波干扰技术 |
| 四、封装基板的技术课题及类型 |
| 1、需解决的技术课题 |
| 2、封装基板的类型 |
| 五、封装用有机基板材料 |
| 1、有机封装基板材料的发展 |
| 2、封装用有机基板 |
| 3、有机封装基板材料的特点 |
| 4、有机封装基板材料的主要性能要求 |
| 5、有机封装基板材料的分类 |
| 六、有机封装基板的开发 |
| 1、原材料的选择 |
| 2、配方设计 |
| 3、工艺设计 |
| 七、DCPD酚环氧及DCPD酚活性脂在封装基板的应用 |
| 八、结语 |
（4）高密度封装中微小铜柱凸点界面IMC生长及控制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 高密度封装技术的研究现状 |
| 1.1.1 高密度封装技术的发展背景 |
| 1.1.2 高密度封装技术的分类与优势 |
| 1.1.3 高密度封装中的材料技术关键点 |
| 1.2 铜柱凸点与高密度封装技术 |
| 1.2.1 铜柱凸点的结构与分类 |
| 1.2.2 微小铜柱凸点的制备与形貌 |
| 1.2.3 微小铜柱凸点中的金属间化合物 |
| 1.2.4 凸点界面IMC对互连可靠性的影响 |
| 1.3 铜柱凸点界面IMC控制研究进展 |
| 1.3.1 铜柱凸点界面IMC反应机理 |
| 1.3.2 凸点界面IMC控制国内外研究现状 |
| 1.3.3 铜微纳米针锥低温固态键合中的界面IMC控制与局限 |
| 1.4 本文的研究目的及研究内容 |
| 第二章 时效条件下15μm铜柱凸点界面IMC生长研究 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 实验方法 |
| 2.2.1 实验材料与制样方法 |
| 2.2.2 研究方法 |
| 2.3 15μm凸点界面IMC形貌与成分分析 |
| 2.3.1 100 ℃时效条件下的15μm凸点界面IMC |
| 2.3.2 150 ℃时效条件下的15μm凸点界面IMC |
| 2.3.3 200 ℃时效条件下的15μm凸点界面IMC |
| 2.3.4 EDS成分分析 |
| 2.4 时效温度对15μm凸点界面IMC生长情况的影响规律 |
| 2.4.1 时效温度对15μm凸点界面IMC厚度的影响 |
| 2.4.2 时效温度对15μm凸点界面生成Kirkendall孔洞的影响 |
| 2.4.3 不同时效温度条件下15μm凸点界面处原子扩散系数的计算 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 时效条件下25μm铜柱凸点界面IMC生长研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.3 25μm凸点界面IMC形貌与成分分析 |
| 3.3.1 100 ℃时效条件下的25μm凸点界面IMC |
| 3.3.2 150 ℃时效条件下的25μm凸点界面IMC |
| 3.3.3 200 ℃时效条件下的25μm凸点界面IMC |
| 3.3.4 EDS成分分析 |
| 3.4 时效温度对25μm凸点界面IMC生长情况的影响规律 |
| 3.4.1 时效温度对25μm凸点界面IMC厚度的影响 |
| 3.4.2 时效温度对25μm凸点界面生成Kirkendall孔洞的影响 |
| 3.4.3 不同时效温度条件下25μm凸点界面处原子扩散系数的计算 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 石墨烯对铜柱凸点键合界面IMC生长的控制 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 RGO修饰铜锥的制备方法 |
| 4.2.1 铜微纳米针锥的制备 |
| 4.2.2 在微纳米铜针锥上沉积RGO的方法 |
| 4.2.3 不同条件制备RGO修饰铜锥的性质比较与选择 |
| 4.3 25μm铜柱凸点与RGO修饰铜锥的键合 |
| 4.3.1 固态键合的实验方法 |
| 4.3.2 最佳键合条件的选择 |
| 4.3.3 键合过程中孔洞形成原理分析 |
| 4.4 RGO修饰铜锥对界面处IMC生长的影响 |
| 4.4.1 键合后界面处IMC生长情况比较 |
| 4.4.2 时效后截面处IMC生长情况比较 |
| 4.5 RGO控制键合界面IMC生长的原理分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 全文总结及展望 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 |
（5）电镀技术在电子产品中的应用（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 电镀技术在电子器件上的应用 |
| 1.1 电子元件制造 |
| 1.2 半导体元件制造 |
| 1.3 印制线路板制造 |
| 1.4 集成电路制造 |
| 1.5 外壳电磁屏蔽 |
| 1.6 铝合金记忆磁碟 |
| 1.7 电子接插件制造 |
| 1.8 三维模塑互连器件 |
| 2 展 望 |
（6）印制线路板化学镀铜活化剂—胶体钯的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 印制线路板概述 |
| 1.2 化学镀的发展及应用 |
| 1.2.1 化学镀铜的发展史 |
| 1.2.2 化学镀铜的应用 |
| 1.2.3 化学镀铜的工艺流程 |
| 1.3 胶体钯活化液的研究现状 |
| 1.3.1 胶体钯的制备 |
| 1.3.2 胶体钯的性能 |
| 1.4 本研究的意义及内容 |
| 1.4.1 本研究的意义 |
| 1.4.2 本研究的内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 主要仪器、药品和材料 |
| 2.1.1 主要仪器 |
| 2.1.2 主要药品和材料 |
| 2.2 胶体钯的制备 |
| 2.3 评价效果用试片的制备 |
| 2.4 盐基胶体钯活化液活性及稳定性测试 |
| 2.4.1 盐基胶体钯活化液活性测试 |
| 2.4.2 盐基胶体钯活化液稳定性测试 |
| 第三章 制备条件对盐基胶体钯活性及稳定性的影响 |
| 3.1 制备方法不同对胶体钯活性的影响 |
| 3.2 氯化钯浓度不同对胶体钯活性的影响 |
| 3.3 反应温度不同对胶体钯活性的影响 |
| 3.4 反应时间不同对盐基胶体钯活性的影响 |
| 3.5 熟化温度不同对胶体钯活性的影响 |
| 3.6 Sn/Pd 比不同对胶体钯活性及稳定性的影响 |
| 3.7 氯化钠浓度不同对胶体钯活性及稳定性的影响 |
| 3.8 锡酸钠浓度不同对胶体钯活性的影响 |
| 3.9 甲醇作添加剂对胶体钯活性的影响 |
| 3.10 本章小结 |
| 第四章 超声波作用对胶体钯活化液活性和稳定性的影响 |
| 4.1 超声波作用时间对胶体钯活化液活性的影响 |
| 4.2 超声波作用下的胶体钯活化液的稳定性 |
| 4.3 氯化钯浓度对胶体钯活性的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
（7）纳米银焊膏互连芯片DBC基板的镀银工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电子封装技术概述 |
| 1.1.1 电子封装技术的定义 |
| 1.1.2 电子封装技术的发展 |
| 1.1.3 电子封装技术的功能和分级 |
| 1.1.4 电子封装的类型 |
| 1.1.5 电子封装技术的发展趋势 |
| 1.2 电子封装膜技术的简介 |
| 1.2.1 电镀技术 |
| 1.2.2 脉冲电镀技术 |
| 1.2.3 物理气相沉积（PVD）技术 |
| 1.2.4 丝网印刷厚膜技术 |
| 1.3 电子封装微互连技术的简介 |
| 1.3.1 钎焊材料 |
| 1.3.2 低温烧结纳米银焊膏 |
| 1.4 电子封装基板技术的简介 |
| 1.4.1 陶瓷基板应具有的条件 |
| 1.4.2 各类陶瓷基板的简介 |
| 1.4.3 陶瓷基板的金属化 |
| 1.5 本文研究意义及研究工作 |
| 1.5.1 本文研究意义 |
| 1.5.2 本文研究工作 |
| 第二章 实验材料及实验设备 |
| 2.1 实验材料及药品 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验药品 |
| 2.2 实验设备 |
| 第三章 铜基板无氰电镀银工艺及银层性能的研究 |
| 3.1 亚硫酸盐无氰电镀银工艺 |
| 3.1.1 亚硫酸盐电镀银液配方 |
| 3.1.2 亚硫酸盐电镀银液的配制 |
| 3.1.3 亚硫酸盐电镀银液的维护 |
| 3.1.4 实验方法 |
| 3.1.5 实验结果与分析 |
| 3.1.6 实验方法改善及结果 |
| 3.2 亚硫酸盐无氰电镀银层的研究与分析 |
| 3.2.1 镀银层的检验 |
| 3.2.2 电镀时间对镀银层的影响 |
| 3.2.3 银盐浓度对镀银层的影响 |
| 3.2.4 镀液温度对镀银层的影响 |
| 3.3 亚硫酸盐无氰电镀银层抗变色性能的研究 |
| 3.3.1 提高镀银层厚度 |
| 3.3.2 浸银工艺 |
| 3.3.3 调节电流密度 |
| 3.3.4 钝化处理工艺 |
| 3.3.5 预镀中间层工艺 |
| 3.4 硫代硫酸盐无氰电镀银工艺 |
| 3.4.1 硫代硫酸盐电镀银液配方 |
| 3.4.2 硫代硫酸盐电镀银液的配制 |
| 3.4.3 硫代硫酸盐电镀银液的维护 |
| 3.4.4 实验方法 |
| 3.4.5 实验结果及分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 铜基板电镀镍后磁控溅射银工艺的研究 |
| 4.1 铜基板磁控溅射银工艺 |
| 4.1.1 磁控溅射银工艺参数 |
| 4.1.2 实验方法 |
| 4.1.3 实验结果及分析 |
| 4.2 铜基板电镀镍后磁控溅射银工艺 |
| 4.2.1 铜基板电镀镍工艺 |
| 4.2.2 磁控溅射银工艺参数 |
| 4.2.3 实验方法 |
| 4.2.4 实验结果 |
| 4.2.5 实验方法的改善 |
| 4.2.6 实验结果及分析 |
| 4.2.7 试样的保存 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 5.1 本文的主要工作及结论 |
| 5.2 下一步工作建议及展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（9）离心清洗设备控制系统设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 国内外现状 |
| 1.3 课题意义 |
| 1.4 研究内容 |
| 第二章 离心清洗工艺分析 |
| 2.1 助焊剂分类 |
| 2.2 污染物类型 |
| 2.3 清洗溶剂 |
| 2.4 清洗工艺 |
| 2.5 离心清洗技术 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 离心清洗机的结构设计 |
| 3.1 离心清洗机的基本要求 |
| 3.2 清洗机总体设计 |
| 3.3 提升与旋转系统设计 |
| 3.4 装夹系统设计 |
| 3.5 喷淋与过滤系统设计 |
| 3.6 离心清洗机的特点 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 清洗机控制系统设计 |
| 4.1 气动系统设计 |
| 4.2 旋转系统设计 |
| 4.3 PLC控制系统的设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 清洗工艺试验 |
| 5.1 工艺试验方案 |
| 5.2 清洗剂的选择 |
| 5.3 确定清洗工艺参数 |
| 5.4 离子污染测试 |
| 5.5 试验结果 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
四、高密度封装进展之四——印制线路板制造技术的发展趋势（论文参考文献）
- [1]工艺条件对线路板化学镀钯的影响[J]. 文明立,赵超,杨义华,陈伟,彭小英,刘光明. 电镀与精饰, 2020(12)
- [2]面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究[D]. 钟智彦. 华南理工大学, 2019(01)
- [3]浅析封装基板的设计开发[A]. 师剑英. 第十九届中国覆铜板技术研讨会论文集, 2018
- [4]高密度封装中微小铜柱凸点界面IMC生长及控制研究[D]. 鞠隆龙. 上海交通大学, 2018(01)
- [5]电镀技术在电子产品中的应用[J]. 王昊,郝建军,安成强,林雪. 电镀与精饰, 2013(06)
- [6]印制线路板化学镀铜活化剂—胶体钯的研制[D]. 丁雨. 长沙理工大学, 2012(09)
- [7]纳米银焊膏互连芯片DBC基板的镀银工艺研究[D]. 陈露. 天津大学, 2012(07)
- [8]电子电镀与表面处理技术的研发动态[J]. 郁祖湛. 电镀与精饰, 2011(09)
- [9]离心清洗设备控制系统设计[D]. 张瑾. 西安电子科技大学, 2010(02)
- [10]充满创新活力的电子电路技术展——日本2010年电子电路与电子封装展览会观感[J]. 田民波. 印制电路信息, 2010(08)